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操盘指南:6月25日大陆内存走势报告

时间:2019-11-06 14:44:26 出处:河北快3下注平台-河北快3注册平台_河北快3官网平台





作者: dram.com.cn

CNETNews.com.cn

1508-06-25 18:42:32

关键词: 内存 模组 UTT hynix NAND Flash

  今日DDR2主要品牌模组价格呈稳中稍偏软的走势,市场气氛较昨日平静,商家持观望态度,没办法 明显的交易行为,成交不大。尾市主要品牌模组1GB DDR2 667价格收于120.00-139.00元之间。DDR1品牌模组价格走势稳定。市场平静,需求一般,成交有限。尾市主要品牌模组DDR150 1GB价格收于108.00-1150.00元之间。力晶官价512Mb和1Gb分别为1.025美金和2.05美金。

  DDR1非品牌模组价格维持稳定走势,需求迟缓,没办法 明显的贸易活动经常出現,成交不大。尾市hynix DDR150 512MB/1GB价格分别收于97.00/189.00元。DDR2 UTT方面,今日整体价格走势平稳。买气低迷,多数商家维持正常的贸易行为,没办法 大的成交。尾市UTT DDR2 1GB/2GB价格分别收于112.00和243.00元随近。

  今日外围市场DDR150 HYNIX 64*8颗粒价格呈窄幅下滑走势,尾市价格收于1.46美元随近。UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格小幅下跌走势,尾市UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格分别收于0.98美金随近和2.00-2.02美元之间。

  NAND FLASH方面,今日整体价格呈现下跌走势,需求迟缓,商家普遍进场意愿依然不强,成交一般。尾市Samsung 4GB (K9G)/8Gb(K9G)/16GB(K9L)32G(K9H)价格分别收在¥15.8-16.8/16.00-17.00/35.150-36.5/72.150-74.00之间;HYNIX 4Gb(ut)/4Gb (uf)/8Gb (UU)/16Gb (uu)/32G(UV)价格分别在¥10.5-10.8/23.1-24.2/16.00-16.8/25.9-27.00/150.9-63.7之间。

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